玻璃展了解到，日前，晶能光电宣布成功制备了红、绿、蓝三基色硅衬底GaN基Micro LED阵列，在Micro LED全彩芯片开发上迈出了关键的一步。
据玻璃展了解，微米尺寸的Micro LED制备已经脱离了普通LED工艺，进入了IC制程。而大尺寸硅衬底GaN晶圆具有低成本、兼容IC制程、易于衬底剥离等核心优势，已成为Micro LED制备的主流技术路线之一。
国际上，Aledia、Plessey、ALLOS 、STRATACACHE等企业均专注于硅衬底Micro LED的研发，主要消费电子产业巨头更是在这一领域投入大量资源，以期在AR、VR等可穿戴设备的巨大市场中抢占先机。
从Micro LED技术层面上看，Micro LED走向大规模应用要求高良率和高光效的红绿蓝三基色MicroLED芯片。目前，绿光和蓝光的GaN材料体系已经成熟，能够满足Micro LED制程开发的要求，而红光Micro LED技术难点则仍是Micro LED制程中的一大阻碍。
据了解，传统的红光AlInGaP体系因为其材料较脆和侧壁上非辐射复合严重，面临着良率和光效两方面的重大技术瓶颈。因此，InGaN基红光LED，尤其是大尺寸硅衬底上的InGaN基红光LED被寄以厚望。
近年来，海外频繁传来关于InGaN基红光Micro LED技术突破的消息。
如今，晶能光电成功制备硅衬底红光Micro LED，在实现Micro LED全彩化上取得了关键性的突破。
玻璃展据晶能光电芯片副总监黄涛介绍，本次制备的硅衬底InGaN红、绿、蓝Micro LED阵列像素点间距为25微米，像素密度为1000PPI，在10A/cm2电流密度下的峰值波长分别为650nm、531nm、和445nm。其中，InGaN红光芯片的外量子效率（36mil，650nm峰值波长）为3.5%，EL的半高宽为70nm。
